首页 - 科技 > 内存延迟参数不一致(内存条的参数该怎么看)

内存延迟参数不一致(内存条的参数该怎么看)

发布于:2024-05-05 作者:nyajiajiao.cz 阅读:4

内存条的参数该怎么看

由于内存在标签上并没有具体统一的格式,所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息,这些也都是最基本的参数。

内存延迟

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示,例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高,因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的,相互影响的程度非常大,并且也不是数值最大时其性能也最差,那么更加合理的配比参数很重要。

CAS Latency,即列地址选通脉冲时间延迟,我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

RAS-to-CAS Delay(tRCD),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间,即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。

内存时序由什么决定

相信大多数超频帖子里都会提到内存时序调整,也就是我们经常看到的5-5-5-15 1T、4-5-4-12 2T等等,那么这些参数都代表什么呢?又应该如何设置合理的参数呢?以下内容将向大家介绍内存时序的重要参数及其设置,希望对大家有用!

CPC: Command Per Clock

可选的设置:Auto,Enable(1T),Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC:指令比率,也有翻译为:首命令延迟),一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。

显然,CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

该参数的默认值为Disable(2T),如果玩家的内存质量很好,则可以将其设置为Enable(1T)。

tCL: CAS Latency Control(tCL)

可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5。

一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数,即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe)开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时,如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大,在保证系统稳定性的前提下,CAS值越低,则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能,而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意,WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

tRCD: RAS to CAS Delay

可选的设置:Auto,0,1,2,3,4,5,6,7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数,即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD),表示"行寻址到列寻址延迟时间",数值越小,性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能。建议该值设置为3或2,但如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定。该值为4时,系统将处于最稳定的状态,而该值为5,则太保守。

如果你的内存的超频性能不佳,则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

tRAS: Min RAS Active Timing

可选的设置:Auto,00,01,02,03,04,05,06,07,08,09,10,11,12,13,14,15。

该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数,即8。Min RAS Active Time(也被描述为:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time),表示“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在5-10之间。这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency+ tRCD+ 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2,tRCD的值为3,则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能,应尽可能降低tRAS的值,但如果发生内存错误或系统死机,则应该增大tRAS的值。

tRP: Row Precharge Timing(tRP)

可选的设置:Auto,0,1,2,3,4,5,6,7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数,即第2个4。Row Precharge Timing(也被描述为:tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"内存行地址控制器预充电时间",预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长,设为2可以减少预充电时间,从而更快地激活下一行。然而,想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求,可能会造成行激活之前的数据丢失,内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说,推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期,这是最佳的设置。如果比此值低,则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期,这将影响DDR内存的读写性能,从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下,将此值设定为3个时钟周期。

一般说来,tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能,该值为4将在超频时获取最佳的稳定性,同样的而该值为5,则太保守。大部分内存都无法使用2的值,需要超频才可以达到该参数。

两个内存条不一样可以用么

两个内存条只要是同代内存条,可以同时使用。

1、内存条同代的情况下可以混用,不同代不能混用。同代内存条在容量和频率相同的情况下(最好相同品牌)有一定机会组双通道内存,内存频率有叠加可能。

2、同代内存条频率不同情况下,一般运行在低频率内存条的频率,高频内存条会降频使用。多条内存条可能存在不兼容的情况,建议相同品牌的内存条一起使用。

扩展资料:

1、计算机的内存容量通常是指随机存储器(RAM)的容量,是内存条的关键性参数。

2、内存的容量一般都是2的整次方倍,比如64MB、128MB、256MB等,一般而言,内存容量越大越有利于系统的运行。

3、进入21世纪初期,台式机中主流采用的内存容量为2GB或4GB,512MB、256MB的内存已较少采用。

4、系统对内存的识别是以Byte(字节)为单位,每个字节由8位二进制数组成,即8bit(比特,也称“位”)。按照计算机的二进制方式,1Byte=8bit。 1KB=1024Byte。 1MB=1024KB。 1GB=1024MB。 1TB=1024GB。

1KB=1024B=1024字节

1MB=1024KB=1,048,576字节

1GB=1024MB=1,073,741,824字节

1TB=1024GB=1,099,511,627,776字节

1PB=1024TB=1,125,899,906,842,624字节

1EB=1024PB=1,152,921,504,606,846,976字节

1ZB=1024EB=1,180,591,620,717,411,303,424字节

1YB=1024ZB=1,208,925,819,614,629,174,706,176字节

5、系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和,内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。

6、不同主板芯片组可以支持的容量不同,比如Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存,多余的部分无法识别。

7、21世纪初期,多数芯片组可以支持到2GB以上的内存。此外主板内存插槽的数量也会对内存容量造成限制,比如使用128MB一条的内存,主板由两个内存插槽,最高可以使用256MB内存。因此在选择内存时要考虑主板内存插槽数量,并且可能需要考虑将来有升级的余地。

参考资料:内存容量_百度百科

二维码

扫一扫关注我们

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,本站不拥有所有权,不承担相关法律责任。如果发现本站有涉嫌抄袭的内容,欢迎发送邮件至 465747283@qq.com举报,并提供相关证据,一经查实,本站将立刻删除涉嫌侵权内容。

相关文章

自定义链接1

电话咨询
自定义链接2